- Νέο
Τύπος: Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT).
Τάση (V_CES): 1200V.
Ρεύμα (I_C): 600A έως 800A (ανάλογα με τις συνθήκες λειτουργίας).
Διαμόρφωση: 2-in-one package (Dual IGBT Module).
Τεχνολογία: Ενσωματωμένες δίοδοι ελεύθερης κυκλοφορίας (freewheeling diodes) και δομή χαμηλής επαγωγής
ΘΥΡΙΣΤΟΡ MODULE
600A 1200V