• Νέο

2MBI600VXA-120E-51

ΘΥΡΙΣΤΟΡ MODULE

600A  1200V

ΒΙΟ.20.0062

Τύπος: Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT).

Τάση (V_CES): 1200V.

Ρεύμα (I_C): 600A έως 800A (ανάλογα με τις συνθήκες λειτουργίας).

Διαμόρφωση: 2-in-one package (Dual IGBT Module).

Τεχνολογία: Ενσωματωμένες δίοδοι ελεύθερης κυκλοφορίας (freewheeling diodes) και δομή χαμηλής επαγωγής

ΒΙΟ.20.0062

16 ακόμα προϊόντα στην ίδια κατηγορία: